陶瓷涂料
Thermic Edge有限公司是高纯度立方碳化硅（SiC3）和立方碳化钛（TiC3）陶瓷涂层的唯一制造商，可以应用于纯化石墨、陶瓷和难熔金属部件。
SiC3是我们对高纯度立方体的商品名称。 碳化硅 陶瓷涂层。它被应用于部件，以保护它们在高温下免受氧化或与其他气体反应。SiC3涂层是使用高温、非常高纯度的化学气相沉积（CVD）反应器进行的。
SiC3涂层是一种电绝缘体，硬度惊人，具有良好的耐腐蚀性和抗氧化性。它可以在大气压力下承受高达1600C的温度。
SiC3立方体碳化硅陶瓷涂层可应用于以下材料：-
SiC3立方体碳化硅陶瓷涂层可以在高温下用于以下环境：-
与传统的碳化硅涂层相比，SiC3立方体碳化硅涂层具有以下优势。
这种纯度非常高的涂层主要用于半导体和电子行业，用于保护晶圆载体、受体和加热元件免受腐蚀性和反应性环境的影响，如用于晶圆加工和设备制造的MOCVD和EPI工艺。该涂层也适用于真空炉和高真空、反应性和氧气环境下的样品加热。
SiC3涂层是一种电绝缘体，硬度惊人，并具有良好的抗腐蚀和抗氧化性。它可以在大气压力下承受高达1600C的温度。
| 财产 | 价值 |
| 密度 | 3200 kg.m-3 |
| 晶体结构 | 3C (cubic; β) |
| 孔隙率 | 0% (氦气密封) |
| 水晶尺寸 | 1 - 5 µm |
| 视觉外观 | 灰色，缎面至暗色 |
| 热膨胀（RT -400°C | 4.2 x 10-6m.K-1 |
| 热导率（@20°C | 200 W.m-1.K-1 |
| 弹性模量 | 450GPa |
| 电阻率 (@20°C) | 1MΩ.m |
本表显示了SiC3涂层的杂质。
该方法的最低检测限。由EAG实验室使用辉光放电质谱法进行测试。
与其他公司提供的碳化硅涂层（C1和C2）相比，我们的热边SiC3涂层（TEC）的纯度非常高。
这里显示了一个典型的表面粗糙度曲线。
典型的表面粗糙度参数是Ra = 0.8µm，Rz = 5µm和Rt = 8µm。
热边涂层（TEC）在各种材料上沉积高纯度碳化硅涂层。这种立方体SiC3涂层在低、中、高温下都有很好的腐蚀保护性能。通常情况下，该涂层被应用于半导体行业、LED和太阳能生产以及航空领域。涂层材料包括石墨、碳复合材料、各种陶瓷和难熔金属。
只有当涂层覆盖了环境可见的所有区域，当它很好地粘附在材料上，并且在涂层过程后没有开裂，涂层才能有效地保护底层材料。
因此，一个具有良好附着力的涂层是至关重要的，而TEC所进行的工艺可以在各种材料上实现这一目标。该工艺是在高温下使用超纯气体进行的，其中氢气通过去除氧化物和其他可能阻碍良好附着力的污染物来清洁表面。在工艺的初始阶段，在沉积和蚀刻之间有一个权衡，进一步清洁了底层材料和涂层之间的界面。
当然，在许多应用中，石墨被用作底层材料，具有很高的孔隙率。TEC工艺可以很好地穿透石墨中的孔隙，使其进一步增强粘附力。这在下图中得到了很好的证明。
在高端应用中使用石墨涂层部件取决于石墨的整体覆盖率。这对外表面以及小孔和大孔（盲孔、通孔）都很重要。卫星盘上的小孔就是一个很好的例子，里面有足够的涂层是很重要的。
在TEC，我们做了一个小的石墨样品，用手持钻在侧面钻了小孔。这仅仅是第一次评估，进一步的测试将在未来几周开始。测试片如下图所示，在钻孔和涂层之后，小的部分被打破，以检查孔的内部结构。
对一个孔的SEM分析清楚地表明，涂层渗透到直径1.2mm x 5.5mm深的小孔中（见右侧）。
在孔的底部（直径约1.2毫米；深度5.5毫米）仍有一个10微米的层存在。因此，小卫星圆盘孔的涂层是没有问题的，预计在孔的底部至少有60 %的顶层厚度。
在高端应用中使用石墨涂层部件取决于石墨的整体覆盖率。这对外表面以及小孔和大孔（盲孔、通孔）都很重要。卫星盘上的小孔就是一个很好的例子，里面有足够的涂层是很重要的。
在TEC，我们做了一个小的石墨样品，用手持钻在侧面钻了小孔。这仅仅是第一次评估，进一步的测试将在未来几周开始。测试片如下图所示，在钻孔和涂层之后，小的部分被打破，以检查孔的内部结构。
对一个孔的SEM分析清楚地表明，涂层渗透到直径1.2mm x 5.5mm深的小孔中（见右侧）。
在孔的底部（直径约1.2毫米；深度5.5毫米）仍有一个10微米的层存在。因此，小卫星圆盘孔的涂层是没有问题的，预计在孔的底部至少有60 %的顶层厚度。
一大组基于碳纤维的材料被称为碳复合材料。它涵盖了广泛的材料，根据生产过程具有不同的特点。这些材料的共同点是碳纤维被模压（短纤维）或编织（长纤维）成各种结构，并被浸渍以使结构变硬。纤维的特性在纤维的长度和垂直于纤维的方向上有很大的不同。特别是热膨胀的不同，使其很难在不出现裂缝和/或分层的情况下涂覆在复合材料结构上。
TE在为高温应用开发的碳纤维复合材料部件的涂层方面获得了一些经验。由于热膨胀的巨大差异和不同方向的变化，出现了裂缝。右边给出了一个很好的例子。水平方向上的裂缝宽度比垂直方向上的大得多，表明纤维的方向不同。一旦材料被加热并接近SiC3的沉积温度，大多数裂缝将被关闭，并可以保护底层材料。
最有希望用SiC3涂层的陶瓷是硅基陶瓷，如SiC、SiSiC、Si3N4等。原因是这些材料的热膨胀与SiC3涂层非常吻合。在这些陶瓷上进行表层涂层的目的是为了提高耐腐蚀性，并阻止杂质从基体材料中扩散。在半导体行业，SiSiC舟和其他部件大多是由陶瓷供应商自己进行涂层。在这种情况下，涂层可以防止硅从基体材料中被优先攻击和侵蚀。
到目前为止，由于氧化铝的热膨胀率很低，事实证明它很难像石英那样进行涂层。
钨和钼已经被成功地涂上了SiC3涂层。根据不同的尺寸和形状，可以涂抹到250微米。涂层附着力非常好，而且该系统在高温下具有长期稳定性。SiC3涂层可以防止在氧化环境中底层基础材料的氧化。
TiC3是我们的高纯度立方碳化钛陶瓷涂层的商品名称。它被应用于石墨部件，以保护它们在高温下的高真空（HV）和超高真空（UHV）中的汽化以及在高温下与其他气体的反应。TiC3涂层是使用高温、非常高纯度的化学气相沉积（CVD）反应器应用的。
TiC3涂层是一种非常好的电导体，可以承受非常高的温度，最高可达3000C。它具有非常低的蒸汽压力，使其能够在高温下在高真空和超高真空（UHV）中运行。它具有难以置信的硬度和良好的耐腐蚀性。然而，它不喜欢氧气，很容易与氧气反应。
TiC3立方碳化钛陶瓷涂层只能应用于高膨胀石墨产品，因为它的CTE约为7x10e-6 mm/C
TiC3立方体碳化钛陶瓷涂层可以在高温下使用，也可以在非常高的真空环境下使用：-。
| 财产 | 价值 |
| 密度 | 4930 kg.m-3 |
| 晶体结构 | 3C (cubic; β) |
| 孔隙率 | 0% (氦气密封) |
| 水晶尺寸 | 2-10 µm |
| 视觉外观 | 浅灰色，缎面 |
| 热膨胀（RT - 400°c | 7.7 X 10-6M.k-1 |
| 热导率（@20°C | 50 W.m-1K-1 |
| 弹性模量 | 420GPa |
| 电阻率 (@20°C) | 0.02Ω.m |
| 硬度(维氏) | 3500 HV |
这里显示了一个XRD图。
图中所示的峰值与3C晶体结构完全吻合。
用扫描电子显微镜观察到的表面和断裂情况如下所示
石墨的孔隙被很好地覆盖，涂层渗透到开放的孔隙中，增强了涂层在石墨表面的附着力，非常好。 对尖锐边缘的附着力很好，但在所有情况下，建议半径至少为0.2毫米。
在高端应用中使用石墨涂层部件取决于石墨的整体覆盖率。这对外表面以及小孔和大孔（盲孔、通孔）都很重要。卫星盘上的小孔就是一个很好的例子，里面有足够的涂层是很重要的。
在TEC，我们做了一个小的石墨样品，用手持钻在侧面钻了小孔。这仅仅是第一次评估，进一步的测试将在未来几周开始。测试片如下图所示，在钻孔和涂层之后，小的部分被打破，以检查孔的内部结构。
对一个孔的SEM分析清楚地表明，固化物渗透到直径为1.2mm x 10.0mm深的小孔中（见右图）。
在孔的底部（直径约1.2毫米；深度5.5毫米）仍有一个10微米的层存在。因此，小卫星圆盘孔的涂层是没有问题的，预计在孔的底部至少有60 %的顶层厚度。
目前，我们可以为直径达360 x 500毫米的部件进行涂层。
Thermic Edge Coatings (TEC)在石墨上沉积高纯度碳化钛涂层。这种立方体的TiC3涂层在低、中、高温下都具有良好的腐蚀保护性能。该涂层通常应用于半导体工业、真空炉和航空航天。涂层材料是石墨、碳复合材料、各种陶瓷和难熔金属。
只有当涂层覆盖了环境可见的所有区域，当它很好地粘附在材料上，并且在涂层过程后没有开裂，涂层才能有效地保护底层材料。
因此，一个具有良好附着力的涂层是至关重要的，而TEC所进行的工艺可以在各种材料上实现这一目标。该工艺是在高温下使用超纯气体进行的，其中氢气通过去除氧化物和其他可能阻碍良好附着力的污染物来清洁表面。在工艺的初始阶段，在沉积和蚀刻之间有一个权衡，进一步清洁了底层材料和涂层之间的界面。
石墨被用作底层材料，具有高孔隙率。TEC工艺能很好地渗透石墨中的孔隙，并使其进一步增强附着力。
本表显示了TiC3涂层的杂质情况
该方法的检测极限最低。由EAG实验室使用辉光放电质谱法进行测试。
简体中文 
Deutsch 
English (UK) 
Polski 
Français 
Español 
